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电子元器件详细资料 » IC[28696] » SI4563DY-T1-GE3
型号:SI4563DY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C16 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs85nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2390pF @ 20V
功率_最大3.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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SI4563DY-T1-GE3相关型号

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